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【新闻】提高芯片设计性能松下IC空气隙互连技术电子玩具

发布时间:2020-10-18 16:40:05 阅读: 来源:水龙头厂家

<P><FONT face=Courier size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp;<FONT color=#000000> 日本</FONT></FONT><FONT color=#000000><FONT face=Courier size=2>松下</FONT><FONT face=Courier size=2>电机</FONT><FONT face=Courier size=2>株式会社日前推出取代常规低K薄膜的材料。该公司研制了一种新型制造工艺,据称能使先进</FONT><FONT face=Courier size=2>IC</FONT><FONT face=Courier size=2>设计内的“空气隙”互连结构成为现实。 </FONT></FONT></P>

<P><FONT face=Courier color=#000000 size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT color=#000000><FONT face=Courier size=2>  松下的技术命名为Air Gap Exclusion (AGE),据称能实现K值为2.5及更低带空气隙结构的</FONT><FONT face=Courier size=2>铜</FONT><FONT face=Courier size=2>互连。松下在国际互连技术大会(I</FONT><FONT face=Courier size=2>IT</FONT><FONT face=Courier size=2>C)上发表的论文表示,“AGE工艺将实现新一代的互连电路。”该公司没有透露何时将该技术用于生产。 </FONT></FONT></P>

<P><FONT face=Courier color=#000000 size=2></FONT><SPAN class=px14><FONT id=FontSizeSettings4>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier><FONT color=#000000><FONT size=2>  前沿的芯片制造商一直拼命将铜互连与新型复杂低K介电薄膜集成作为提高芯片设计性能的方法。尽管许多芯片制造商能够在130</FONT><FONT size=2>纳米</FONT><FONT size=2>和90纳米节点应用低K薄膜,但仍然有互连技术将撞南墙的说法。空气间隙技术数年来被提出用于取代低K薄膜,但松下表示生产中有许多与该技术相关的问题:损坏铜线、通孔和触点失准;大范围区域平整度退化等。 </FONT></FONT></FONT></P>

<P><FONT face=Courier color=#000000 size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier><FONT color=#000000><FONT size=2>  据松下称,使用AGE解决了以上的许多问题。</FONT><BR></FONT></FONT></P></FONT></SPAN>

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